__________ __________
Память SDR SDRAM • Конструктивно этот вид памяти представляет собой модуль DIMM (Dual In-line Memory Module) со 168 контактами, на котором располагаются до 32 чипсетов. «SDR SDRAM» («Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory» — «Синхронная динамическая память со случайным доступом и одинарной скоростью передачи данных») имеет спецификации: PC66, PC100, PC133, предназначенные, соответственно, для работы на частотах: 66, 100, 133 MHz. o Память спецификации PC66 не имеет перспектив при разгоне, разве что Вы разгоняете какой-нибудь раритетный аппарат. o На модуле памяти «SDR SDRAM» спецификации PC100 должна быть специальная наклейка с маркировкой вида: « PCxxx-abc-def », где • xxx – частота внешней шины (100 MHz, в данном случае). • а – обозначает CL (CAS Latency), рекомендованное для этого модуля. CAS Latency является важнейшей характеристикой чипа и обозначает минимальное количество циклов тактового сигнала (Clock Period) от момента запроса данных сигналом CAS до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля. Значения CL может быть «2» или «3» . Чем меньше число, тем чип быстрее и стоит дороже. • b – tRCD (RAS-to-CAS Delay). Это необходимая минимальная задержка между сигналами RAS и CAS (в циклах тактового сигнала). Как правило, это число «3» . Параметры а и b определяются архитектурой самого чипа памяти и приводятся для определенной частоты. 100 MГц, напрмер. • с – tRP – (RAS Precharge Time) – минимальное время регенерации в циклах тактовой частоты. Характеризует паузу между командами и обычно это число «3» . • d – tAC – (Acсess from Clock) – максимальное время доступа (появления устойчивых данных) в наносекундах (нс) без десятичной части. Например, tAC = 6,63 нс – dd = 6. • e – SPD Rev спецификация команд SPD (иногда может отсутствовать). • f – запасной параметр, содержащий информацию об используемой ревизии стандарта Registered. После него может стоять индекс "R", указывающий на Registered природу модуля (максимальная отказоустойчивость), если индекса нет и f – 0, значит модуль – Unbuffered. Наиболее типичная маркировка « PC100-322-620 » означает, что при 100MHz тактовой частоты CL = 3, tRCD = 2, tRP = 2, tAC = 6ns Параметр CL = 3 указывает на то, что на частотах более 100 MHz модуль работать не будет. o На модуле памяти «SDR SDRAM» спецификации PC133 должна быть специальная наклейка с маркировкой вида: « PCxxxm-abc-dde-f », где • xxx – частота внешней шины (133 MHz, в данном случае). • m – тип модуля DIMM (R — Registered, U — Unbuffered). • а – обозначает CL (CAS Latency), рекомендованное для этого модуля. CAS Latency является важнейшей характеристикой чипа и обозначает минимальное количество циклов тактового сигнала (Clock Period) от момента запроса данных сигналом CAS до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля. Значения CL может быть «2» или «3» . Чем меньше число, тем чип быстрее и стоит дороже. • b – tRCD (RAS-to-CAS Delay). Это необходимая минимальная задержка между сигналами RAS и CAS (в циклах тактового сигнала). Как правило, это число «3» . Параметры а и b определяются архитектурой самого чипа памяти и приводятся для определенной частоты. 133 MГц, напрмер. • с – tRP – (RAS Precharge Time) – минимальное время регенерации в циклах тактовой частоты. Характеризует паузу между командами и обычно это число «3» . • dd – tAC – (Acсess from Clock) – максимальное время доступа (появления устойчивых данных) в наносекундах (нс) без десятичной точки. tAC = 5.4 нс – dd = 54. • e – SPD Rev спецификация команд SPD (2 – JEDEC SPD Revision 2.0.). • f – топология РСВ. (А: Intel PC100 x8 Based, revision 1.0., B: Intel PC100 x8 Based Low Cost, revision 1.0., C: Intel PC100 x16 Based, revision 1.0., Z: PCB, не соответствующее дизайну Intel.) Наиболее типичная маркировка « PC133U-333-542-B » означает, что при 133 MHz тактовой частоты CL = 3, tRCD = 3, tRP = 3, tAC = 5,4 нс. Параметр CL = 3 указывает на то, что на частотах более 133 MHz модуль работать не будет.
ЗДЕСЬ МОЖЕТ БЫТЬ ТВОЙ БАНЕР ИЛИ ЛЮБАЯ ДРУГАЯ ИНФОРМАЦИЯ!!!
BIOS
-
На главную.
-
Снятие пароля с BIOS
-
Раздел «STANDARD CMOS SETUP» («MAIN»)
-
Раздел «BIOS FEATURES SETUP» («ADVANCED»)
-
Раздел «CHIPSET FEATURES SETUP» («CHIP CONFIGURATION»)
-
Установка параметров для кэширования
-
Раздел «PnP/PCI CONFIGURATION SETUP»
-
Раздел «POWER MANAGEMENT SETUP»
-
Секции BIOS сообщающие характеристики некоторых устройств
-
Уменьшение времени загрузки
-
Ошибки и сигналы
-
Разгон
-
Память SDRAM
-
Память DDR SDRAM
-
Память RDRAM
УСЛОВИЯ РАЗМЕЩЕНИЯ РЕКЛАМЫ
-
Условия
-
Платное размещение
-
Обмен банерами
-
ВХОД в ГОСТЕВУЮ
(оставь свой отзыв )
-
e-m@il
НАШ РЕЙТИНГ
radionet
!
Сайт управляется системой
uCoz